在过去的15年里，对石墨烯、单层和多层过渡金属硫化物等二维材料以及其他原子尺度厚度的层状材料的研究进展非常迅速。二维材料因其奇特的性质和在电子、传感、能量存储和采集等方面的潜在应用而被研究者们所广泛研究。
顾名思义，“单元素二维材料”是由单一化学元素组成的二位层状材料。自石墨烯最早被发现并广泛研究以来，“单元素二维材料”家族的成员不断发展壮大，包括了一些新奇的材料，如硅（Si）、锗（Ge）、锡（Sn）、磷（P）、碲（Se）、铋（Bi）和硼（B）等元素的二维材料形态，也就是所谓的硅烯、锗烯、锡烯、磷烯、碲烯、铋烯和硼烯。这些材料大多具有半导体带隙和高迁移率，使它们在电子学和光电子学中的应用非常有趣。和其他二维材料一样，它们的性质可以很容易地通过化学和静电掺杂或引入应力等方法来调整。
我们精选了最新发表在自然科研旗下期刊上的论文，集中探讨“单元素二维材料”的基本性质和应用，欢迎点击“阅读原文”选阅。
Group III (Borophene)
第三主族（硼烯）
Nature Materials
Intermixing and periodic self-assembly of borophene line defects
硼烯线缺陷的混合和周期性自组装
Nature Nanotechnology
Large-area single-crystal sheets of borophene on Cu(111) surfaces
制备于在Cu(111)表面的大面积单晶片状硼烯
Borophene as a prototype for synthetic 2D materials development
以硼烯为原型的二维合成材料的进展
Group IV (Stanene)
第四主族（锡烯）
npj 2D Materials and Applications
Structural prediction of stabilized atomically thin tin layers
对于原子级别厚度的稳定锡烯的结构预测
Epitaxial growth of ultraflat stanene with topological band inversion
具有拓扑能带反转的超平锡烯的外延生长
Nature Physics
Superconductivity in few-layer stanene
多层锡烯的超导电性
Group-V (Bismuthene and Phosphorene)
第五主族(铋烯和磷烯)
Electrical transport properties in group-V elemental ultrathin 2D layers
V族超薄二维材料的电输运特性
Nature Physics
Tomonaga–Luttinger liquid in the edge channels of a quantum spin Hall insulator
量子自旋霍尔绝缘体边缘通道中的Tomonaga-Luttinger液体
Highly-stable black phosphorus field-effect transistors with low density of oxide traps
高稳定性的具有低密度氧缺陷的黑磷场效应晶体管
Black phosphorus: a two-dimensional reductant for in situ nanofabrication
黑磷：原位纳米加工中的二维的还原剂
Degradation of black phosphorus is contingent on UV–blue light exposure
黑磷的降解与紫外和蓝光照射有关
Protective molecular passivation of black phosphorus
黑磷的保护性分子钝化处理
Recent advances in synthesis, properties, and applications of phosphorene
综述：黑磷的合成，性质和应用
Revealing molecular-level surface redox sites of controllably oxidized black phosphorus nanosheets
发现可控氧化黑磷纳米片的分子级表面氧化还原位点
Black phosphorus as a bipolar pseudospin semiconductor
黑磷作为一种双极性赝自旋半导体
Thickness-controlled black phosphorus tunnel field-effect transistor for low-power switches
可用于低功耗开关的厚度控制型黑磷隧道场效应晶体管
Group VI (Tellurene)
第六主族（碲烯）
Tellurium as a successor of silicon for extremely scaled nanowires: a first-principles study
第一性原理研究：极端尺寸的碲纳米线
Quantum Hall effect of Weyl fermions in n-type semiconducting tellurene
n型碲烯半导体中外尔费米子的量子霍尔效应
nature
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