首款“全国产”芯片内存条实现量产，中国“芯”指日可待

近日，首款全国产内存条光威弈PRO系列大规模量产。据悉，该系列产品从芯片制造、封装，到模组测试、制造，全链条实现国产自主化，该产品的问市，突破了国外技术垄断，加速上下游企业实现核心技术国产化，标志着中国半导体芯片产业发展又取得了新突破。

芯片赛道呈垄断局面，巨头之间竞争激烈

作为全球半导体市场最重要的产品之一，内存芯片的年产值约为700-900亿美元左右，而研发、生产内存有着极高的门槛，据公开资料显示，全球内存芯片主要掌握在三星、SK海力士及美光这三家公司中，占了95%以上的市场份额。

三星率先将芯片制造中最先进的EUV工艺用到了DRAM内存颗粒的生产中。2020年3月25日，三星宣布已经出货100万第一代10nmEUV级（D1x）DDR4DRAM模组，并完成全球客户评估，这将为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。

而早在去年，SK海力士就已宣布成功研发HBM2E芯片，通过TSV技术可以实现8个16GB芯片的垂直堆叠，形成密度为16GB的单封装芯片。HBM2E支持带宽达到每秒460GB，比HBM2芯片带宽提高50%，容量提高100%。

由此可见，全球芯片领域目前仍呈垄断趋势，国际巨头对市场的争夺有加剧之势。我国作为“追赶者”，要面临的挑战也非常严峻。

国内市场需求旺盛，DRAM芯片产业发展提速

事实上，在目前在中美摩擦不断升级的情况下，国产芯片面临着挑战，也同时迎来新的机遇，芯片国产化迎来利好空间，我国芯片开始有弯道超车之势。

据中研网报告显示，中国市场的半导体销售占了全球的1/3，相当于美国、欧盟及日本的总和。在庞大市场需求之下，具有体积小、价格低、集成度高、功耗低、读写速度快等特点的DRAM芯片，理所当然地成为了芯片国产化的兵家必争之地。

DRAM芯片即动态随机存取存储器，主要用于大容量内存储器。国内DRAM厂商在技术、产能等各个方面进行不断投入。作为国内三大存储芯片企业之一，长鑫存储目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产，是规模最大、技术最先进的中国大陆DRAM设计制造一体化企业。

另一家存储芯片企业长江存储也于今年4月宣布，公司跳过96层，成功研发128层QLC3D NAND闪存，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

随着新基建的风口来临、国家政策的大力扶持之下，新一代信息技术高速增长，芯片半导体需求将会持续升级，广阔的市场前景吸引国内企业纷纷加码，国产芯片未来可期。