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昨天三星宣布成功出货首批100万个基于极紫外光刻（EVU）技术的10nm级（D1a）DRAM内存模块。基于EUV的DRAM将供给高端PC、移动和企业服务器、数据中心应用。
三星预计明年开始批量生产基于EUV的DDR5和LPDDR5内存芯片。值得一提的是，应用EUV技术的第四代10nm工艺被称为1a，这是在之前三代10nm级工艺用完了传统x、y、z节点代号的情况下做出的决定。
在DRAM内存和NAND闪存制造工艺中，20nm级别以下的制程工艺提升开始变得困难，芯片制造商可以选择不再定义具体的线宽，而是用1x nm代表10nm级的第一个工艺节点、1y nm代表10nm级的第二个工艺节点、1z nm代表10nm级的第三个工艺节点。在x、y、z三个字母用尽，而低于10nm的工艺依然难以实现时，三星选择从字母a重新开始，而美光选择用α、β、γ等希腊字母延续。
军迷们经常讨论轰6魔改型还剩几个字母可用，而DRAM内存恐怕也要在10nm级上长期发展，不断推出新的改进节点。
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