据国家企业信用信息公示系统,日前,华为旗下的投资公司哈勃科技投资有限公司投资参股了山东天岳先进材料科技有限公司,持股比例为10%。山东天岳成立于2011年12月,是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。
据了解,第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表,具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。目前,许多国家将第三代半导体材料列入国家计划。美国、欧盟均建立了相应的中心及联盟,致力于研发第三代半导体功率器件。
碳化硅性能是第一代半导体材料的数百倍
公开资料显示,碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料中,研究最为成熟、市场应用前景最大的一种。碳化硅半导体材料综合性能是第一代半导体材料性能的数百倍到一千倍,在高温、高频、大功率、光电子以及抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。
事实上,由于半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料,支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展,半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。
得碳化硅者得天下,无碳化硅难5G
华创证券认为,“得碳化硅者得天下”,甚至可以说,无碳化硅难5G。而碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,综合性能较硅材料可提升上千倍,被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”,是光电子和微电子等产业的“新发动机”。碳化硅材料实现量产后,将打破国外垄断,推动国内5G芯片技术和生产能力的提升。
目前,导电型碳化硅衬底片材料主要应用于新能源汽车、新能源汽车充电站、太阳能逆变器、服务器等领域;半绝缘型碳化硅衬底片则主要应用于5G通讯基站、大功率相控阵雷达、卫星通讯等领域。
中国产业信息网数据显示,预计导电型碳化硅衬底片全球市场规模将从2017年的4亿美元增长到2022年的16亿美元,乐观预测甚至能达到34亿美元。半绝缘型碳化硅衬底片全球市场规模将从2017年的4亿美元增长到2022年的11亿美元。
综合证券日报、华泰证券、华创证券等。
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