中国打破国外企业垄断存储芯片的局面可望变成现实

日前消息传出国内存储芯片企业长江存储已量产64层 3D NAND flash产品，并预计在明年开始规模投产，目前全球市场的主流NAND flash芯片正是64层3D 技术，这意味着中国在NAND flash产品上已赶上了全球主流技术。

韩美日垄断NAND flash市场

目前全球的存储芯片行业主要由韩美日所掌控，它们占有全球存储芯片市场的份额合计超过九成以上。存储芯片又分为NAND flash和DRAM，在NAND flash行业，占有市场份额优势的主要有三星、东芝、美光、西部数据和SK海力士。

据市调机构DRAMeXchange发布的2018年四季度NAND flash市场份额排名显示，三星、东芝、美光、西部数据和SK海力士占有的市场份额分别为30.4%、19.3%、15.4%、15.3%、11.2%，加上第六名的Intel占有的7.8%的市场份额，它们合计占有该行业的市场份额高达99.5%。

韩美日垄断全球NAND flash市场，对于中国这个全球最大制造国来说显然是不利的，自2016年以来NAND flash和DRAM的价格持续上涨，造成中国的数码电子产品成本不断上涨，压低了中国制造业的利润，而这些国外存储芯片企业则在存储芯片行业赚得盘满钵满。

这在三星身上体现的最为明显，三星是全球最大的电视企业和智能手机企业，这两项业务也是它的主要收入来源，不过随着中国电视企业和手机企业的冲击，其这两项业务已不是它的主要利润来源，存储芯片才是它的最大利润来源，受益于存储芯片价格的持续上涨，从2017年四季度以来其盈利不断创下记录，直到去年四季度存储芯片价格出现下滑势头，其净利润才在今年一季度出现了超过六成的下滑。

中国有望打破韩美日垄断NAND flash的局面

中国是全球最大制造国，对存储芯片有巨大需求，中国采购的存储芯片占全球约两成比例，庞大的市场有助于中国发展自己的存储芯片产业，从2014年集成电路产业基金成立以来，存储芯片产业正是其中的一个获得支持的芯片产业之一，中国希望借此打破国外企业垄断存储芯片市场的局面，而长江存储正是承担这一重任的企业之一。

长江存储经过数年的努力，在去年已研发出32层的3D NAND flash，不过此时全球的主流已是64层的3D NAND flash，缺乏市场竞争力，它也认识到了这一点，将32层 3D NAND flash产品作为打造技术技术、测试生产线的产品而没有大规模投产，直到日前研发出64层 NAND flash才计划大规模投产。

64层3D NAND flash为当前的主流技术产品，全球前六大NAND flash厂商之中的美光和Intel也是在去年5月才投产64层 3D NAND flash产品，因此长江存储研发出64层 3D NAND flash具有划时代的意义，意味着中国的存储芯片企业在技术上已跟上国外存储芯片企业的脚步。

近十多年来，中国在高科技产业上已取得了多项成就，其中最为人所熟知的无疑就是液晶面板产业，国内最大的面板企业京东方在连亏近十年、备受各方的质疑过程中成长，到如今京东方已成为全球最大的面板企业，其在面板生产技术上已实现了对日韩面板企业的赶超，对比之下长江存储在NAND flash市场的进展比京东方的面板行业的进展还要快，长江存储成立于2016年，仅仅3年时间就追上了全球的主流技术。

面对中国存储芯片企业即将大规模投产NAND flash，全球的NAND flash厂商正在迅速扩张产能，导致NAND flash的价格持续下跌，它们似乎是希望借此将中国的存储芯片企业扼杀的襁褓之中，不过从中国的高端制造业的发展可以看出，中国向来善于在逆境中求生存发展，在这种恶劣的竞争环境中，相信中国存储芯片企业终将改变全球的市场格局。