GaN功率半导体原厂镓能半导体(GANPOWER)入驻拍明芯城

　　GaN(氮化镓)是第三代半导体材料，继第一代Ge、Si半导体材料，第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的新型材料。英文全称Gallium nitride，特性是带隙宽(室温下，Eg=3.4eV)、导热率高、硬度很高、抗辐照能力强、击穿能力出色、耐高温、化学性能稳定等。更适合用于制造光电子、高温大功率器件和高频微波器件，在5G、消费类快充电源、无人驾驶等领域得到广泛应用。

　　图1 半导体物理特性比较

　　镓能半导体自2016年成立以来，一直专注于氮化镓(第三代半导体材料)功率器件的事业，在IPM、服务器电源、电源适配器、快充等应用领域陆续推出了更高的能量转换、更高的电源密度的解决方案。以系统应用端需求驱动芯片研发，已经在白色家电和新能源领域取得了显著的研发成果。例如与美的空调IPM团队紧密合作下，第三代半导体氮化镓功率器件芯片研发和产业化取得国际领先的突破性进展：带驱动IC的IPM专用第三代半导体氮化镓功率器件，将直接替换IGBT用于美的空调IPM，能够简单快捷地研发出新型高能效高功率密度的IPM。公司还成功研发了1500V的漏源(drain-to-source)击穿电压(breakdown voltage)第三代半导体氮化镓功率器件，填补氮化镓芯片650V-1500V高压应用的空缺，将用在大型光伏电站直接上高压电网逆变器和其他高压家电和工业电源项目。

　　镓能自主研发的氮化镓功率器件，共6系列，封装齐全(包括LGA封装、DFN封装、SO封装和TO 4种封装)，19种产品，产品包括氮化镓功率器件系列、测试评估板系列、电源模块、超小型快充适配器、服务器电源、无线充电功率放大和接收器等，成为国内首家第三代半导体材料(氮化镓)功率器件种类最全的供应商。第三代半导体氮化镓功率器件不仅性能参数远优于硅功率器件，其平面结构亦给封装架构和优化系统应用的集成带来革命性的改变。在同等的功率下，其封装成的器件体积可以越做越小，即功率密度越来越高。相对应于系统应用，氮化镓功率器可以使电源产品的体积做得更小，电能的转换效率更高，总体成本更低。

　　镓能入驻拍明芯城，拍明芯城将充分发挥电子产业互联网平台优势，帮助镓能利用互联网全渠道推广和提升品牌影响力。双方携手为客户提供优质服务，“GANPOWER”品牌的器件、模块或方案已全面上架，欢迎咨询或购买，专区入口：https://www.iczoom.com/brand/1890-c-1-20.html

　　镓能产品的应用案例：

　　1、笔记本电源适配器

　　不仅是最先进的电源转换技术利用GaN HEMT作为电源开关，而且努力打造一个杰作的艺术品。镓能为笔记本电脑和其他移动设备开发世界上最小和最优雅的电源适配器。

　　2、太阳能板微逆变器

　　与中央逆变器相比，太阳能面板微逆变器仅适用于每个面板，允许单独优化和最大功率点跟踪(MPPT)。微型逆变器因其节能性强(约占输出功率的5～25%)而越来越受到人们的青睐，从而降低了用户的长期使用成本。大多数的微逆变器在1千瓦。GaN器件非常适合微型逆变器，因为太阳能电池板的功率效率非常重要!同时，GaN器件可以在更高的开关速度下工作，使较小的形状因子和更高的功率密度。

　　3、新能源电动汽车站

　　电动汽车正逐步取代世界各地的汽油车。电动汽车的最大挑战之一是能否提供高效、快速充电和高功率充电站。由于高功率消耗的特性，这些充电站的效率是关键。从长远来看，即使增加一半的效率百分之一也意味着大量的储蓄。在这些应用中，氮化镓功率器件自然比硅更容易选择。一个充电站功率模块由交流到直流转换器，400V电压输出的汽车电池充电。镓能正在与合作伙伴一起开发新一代电动汽车充电站。

　　4、GaN HEMT 器件的服务电源模块

　　由于信息技术的飞速发展，现在是云计算和大数据时代。数据中心需要大量的服务器，每台服务器的功率范围在几百瓦到一千瓦之间。结果表明，如果能通过将硅功率器件切换到GaN功率器件来获得每个服务器的1%的效率，那么所节省的电力将是惊人的。例如，2010，数据中心的全球电力消耗接近2000亿千瓦。如果每个服务器电源配GaN HEMT器件，可提高1%的效率，将可以节省20亿千瓦。这足以使一个中等规模的城市维持一整年。如果在不久的将来，服务器耗电量增加10倍，则功率利用GaN HEMTs救了我们的力量的一个大城市如三藩或多伦多。镓能正在与参与服务器的电源供应商合作，以提供最好的服务器电源模块解决方案。

　　关于镓能半导体

　　镓能半导体是佛山市政府2016引进的世界一流创新创业项目，以李政道博士CUSPEA的研究生和著名Crosslight的创始人李湛明博士海外团队为基础的初创公司。公司专注氮化镓功率器件芯片设计、电力电子系统和无线电能传输的应用，是第二代无线充电AirFuel联盟的会员。

　　公司相信基于业界共识的(第三代半导体材料)氮化镓功率器件正准备取代硅器件以提高能量转换效率和更加绿色环保。公司利用Gan HEMT是平面型器件易于集成的天然特征，以电力电子的系统应用为导向，反推Gan HEMT芯片或系统集成和封装的最优设计，从而形成芯片设计和系统应用垂直整合的商业模式。

　　公司的目标是为客户和社会提供一个实现绿色低碳生活的世界级产品。

　　公司的愿景是建立自己作为GaN器件技术和基于GaN的电力电子系统的国内，甚至国际的行业领导者。通过整合和利用公司在GaN HEMT功率器件设计，控制器和驱动器IC设计以及电力电子系统设计中的实力，正在创建一个垂直整合的设计价值链，为客户提供先进的产品和技术支持。