「半导体」Cree投资10亿美元扩大碳化硅产能

Cree，Inc是美国全球制造商和照明级LED，照明产品和电力和射频（RF）应用产品的营销商。它的大多数产品都是基于碳化硅（SiC），这是一种罕见的天然矿物化合物，早期的Cree研究人员在实验室成功合成了这种化合物。SiC在需要高耐久性的应用中以及在高温或高电压或两者中工作的半导体器件中实现更高的性能。

近日Cree表示，由于需求不断增长，特别是在中国，该公司将在未来5年斥资10亿美元提高整体碳化硅产量。碳化硅（SiC）是用于功率半导体的硅的新兴替代品，以减少充电时间并增加电动车辆行驶里程。它还用于提高太阳能逆变器，工业电机和蜂窝基础设施的效率。

Cree计划将总投资的4.5亿美元用于扩建位于北卡罗来纳州研究三角地带的碳化硅生产厂。该公司表示，北晶圆厂将在2024年前开始生产200mm芯片，旨在生产汽车级芯片。Cree表示，另外4.5亿美元的资本支出将用于提高碳化硅材料的产量。该公司还向其他半导体供应商销售碳化硅材料。

Cree首席执行官Gregg Lowe表示:“我们看到了汽车和通信基础设施行业对利用碳化硅的好处的巨大前景市场。然而，对碳化硅的需求早已超过了现有供应。碳化硅是一种所谓的宽禁带半导体，因为它可以承受更高的热量，处理更高的电压，并提供比硅更高的转换速度。

他在一份声明中表示:“与2017财年第一季度相比，在设备、基础设施和劳动力方面的投资，能够将我们的碳化硅晶圆制造能力提高至多30倍，将我们的材料产量提高至多30倍。”Cree还生产氮化镓(通常称为GaN)——另一种用于高压、高热电子设备的先进半导体。

这一支出计划显示出Cree正积极加强其半导体业务。去年，该公司斥资4.3亿美元收购了英飞凌的射频功率半导体业务，进一步进军手机基础设施解决方案市场。今年3月，该公司以3.1亿美元的价格出售了照明业务，这是其成为更精简的SiC和GaN芯片供应商战略的一部分。

Yole development pement power electronics分析师Milan Rosina表示，随着分立芯片成本下降以及其他挑战得到解决，预计碳化硅芯片的销售额将从2019年的6.15亿美元跃升至2023年的15.8亿美元。IHS Markit的电力半导体分析师Richard Eden表示，到2027年，用于电动汽车动力总成逆变器的SiC和GaN元件的销售额可能飙升至100亿美元。