身为国家存储器项目首发基地的长江存储，4 月 11 日武汉厂正式举行装机典礼，由紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国亲自主持该典礼，国家集成电路产业投资基金股份有限公司（大基金）总裁董事长丁文武也到场支持，这座武汉新厂房的启动，也代表国内实现 3D NAND 量产的全新起点，对中国半导体产业极具里程碑意义！
图丨长江存储武汉厂装机典礼
紫光集团在武汉、南京、成都三地皆具备 12 寸晶圆厂，率先启动的是武汉基地。赵伟国指出，武汉长江存储基地将募资 800 亿人民币，金额已经全数到位，今年可进入小规模量产，明年进入 128Gb 的 3D NAND 在 64 层技术的研发。
业内人士认为，现在 NAND Flash 大厂三星电子 (Samsung Electronics)、美光 (Micron)、东芝 (Toshiba)、SK 海力士 (SK Hynix) 主流的 3D NAND 技术是 64 层和 72 层，虽然今、明两年将跨入 96 层技术，但这个技术门槛十分高，要进入大量生产需要一些时间，如果紫光可以在 64 层 3D NAND 技术如期研发成功，那国内自主存储技术的脚步将更为坚定。
图丨装机典礼
事实上，长江存储的武汉基地第一期生产线进度十分快速，2017 年 9 月已提前封顶，2017 年 11 月长江存储第一颗 32 层 3D NAND 芯片宣布成功量产，而 2018 年 2 月进行厂内洁净室、消防等系统安装，4 月 11 日这天正式举行半导体设备装机典礼，实现国内 3D NAND 芯片量产仅一步之遥！
赵伟国再强调，除了武汉的长江存储基地所需 800 亿人民币到位，另两大基地成都、南京也会各自会再投入 500 亿元，加上紫光正和重庆市政府、大基金等成立注册资本 1,000 亿元的新公司，五年备妥 3,700 亿元的资金要把芯片产业建起来，这是个大战略布局。
11 日的装机典礼中，全球半导体设备大厂高层齐聚一堂，未来武汉长江存储的长期规划是单月高达 30 万片的 12 寸晶圆产能，加上南京、成都两大基地，紫光集团的“芯”布局绝对是推升全球半导体产业往前冲的一大助力，集团内部也期待在 3D NAND 技术领域在未来 2~3 年要弯道超车，积极累积手上的专利，关键是要在 2020 年上好好打上一仗！
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