第三代半导体碳化硅爆发前夜，国产奋起直追，警醒“昙花一现”

我国第三代半导体产业随着资本持续入驻，逐渐有了井喷式发展趋势。有消息透露第三代半导体将被纳入“十四五”计划，战略发展高度下，伴随第三代半导体异军突起，会否成为我国半导体产业超车弯道？

从全球第三代半导体产业发展情况来看，在产业链日趋完善的当下，随着成本的有效控制，有分析表示产业爆发视觉拐点越来越清晰。首先从性能优势来说第三代半导体确实有行业大爆发特质，相对于第一二代半导体材料来说，凭借禁带宽度、击穿电场以及热导率等优异表现，在5G射频、高电压功率等器件上具有很大适配优势。而这仅仅是第三代半导体市场展现出来的“冰山一角”，对于这个兼具规模与高速发展的新兴市场，无疑已经引起国内外“玩家”抢滩入驻。

仅从当前各国第三代半导体产业发展情况来看，美国加注产业研发，期望抢下新兴市场促进经济增长，在全球第三代半导体产业市场上，美国Cree和II-VI占领了70%以上的市场份额，上游的晶片产业链基本被其垄断。而日本则以Rohm为首企业等掌握产业设备与器件方面的话语权。目前国内市场规模也在逐渐崛起，以科泰天润、中科电55所、山东天岳、天科合达等初具竞争实力。如今第三代半导体产业在“中国制造2025”计划中被明确提出大力发展，从大环境来说，推动了第三代半导体产业进一步发展。

当前国内第三代半导体器件主要用于新能源等领域，在节能减耗方面具有很大的发展前景，有权威统计机构表示，未来5-10年第三代半导体器件复合增速将超过40%，随着新能源及光伏、充电桩等领域升级发展，这样的增速将会得到持续。但受制于技术的瓶颈，导致产业爆发临界点一直无法有效触达，器件生产难度和碳化硅片制造上的技术制约，只能寄希望于产业链的逐渐完善，但可以预见的是这一天也许不会太远。

纵观国内外市场发展情况，以美欧日的领先为基调，虽然国内近年来奋起直追，但大多属于初创期或者刚介入不久。但得益于国内5G器件需求增长，国内上游晶片企业将在市场参与度上有明显提升。有分析指出虽然国内产业链仍需要不断完善，但随着相关产业积极带动，政策支持以及资本不断入驻，产业爆发临界点应该不会太远。